Nramorfy silikon N N N N N N N N N N N NN N NN N NN N NN N NN N NN N NN N NN NAJBLIŻSZEJ WARUNKU PÓRMPOKÓW WYKONANYCH Z AMORFORYJNY SILNICON (A NSI). NSI TANCE TRANSZYSTOROWY WYŚWIADCZENIE CIEFNE CRYSTAL (TFT NLCD) jest dominującą technologią do produkcji aktywnej Matrix TFT NLCD od ponad 20 lat. NSI jestniskim materiałem w obfitym zasilaniu. N Na NSI jestniskim materiałem w obfitym dostawie. Jednakże mobilność elektronów NSI jest bardzoniska (około 1 cm2 NV) inie może fizycznie wspierać wysokich częstotliwości odświeżania, takich jak 240 Hz potrzebny do HDTV. Ze względuna ich wysokie mobilność elektronów,nowe materiały, takie jak tlenek metalu (MO) iniską temperaturę Polisilicon (LTPS) zastępują obecnie NSI do wytwarzania dwóch głównych typów ekranów branży: wyświetlacze LCD i światła organiczne (OLED) . Najczęstszą warstwę półprzewodnictwa wykonane jest z bezpostaciowego krzemu (A NSI). NSI TANCE TRANSZYSTORU FOUNKOWEGO Wyświetlacz Ciekłym Kryształowy (TFT NLCD) jest dominującą technologią wytwarzania aktywnej matrycy TFT NLCD od ponad 20 lat. N Nour Firma przyjmuje zaawansowaną technologię produkcji i dostaw, aby wytworzyć kryty amorficzny silikon i zewnętrzny krzem amorficzny przez długi czas. Produkty są używane w wielu dziedzinach, takich jak zegarki, szklanki, zabawki, inteligentne dom i oświetlenie zewnętrzne.